Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFT140N10P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFT140N10P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 600

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 140

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFT140N10P (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 150

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.011

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO268

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFT14N80P , IXFT15N100Q , IXFT15N100Q3 , IXFT18N90P , IXFT20N100P , IXFT24N90P , IXFT80N08 , IXFT96N20P , IXFV16N80PS , IXFV20N80PS , IXFX120N30T , IXFX170N20P , IXFX180N15P , IXFX20N120P , IXFX27N80Q , IXFX32N100P , IXFX64N60Q3 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved