Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFR32N80Q3 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFR32N80Q3

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 500

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 800

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 24

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFR32N80Q3 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 300

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.3

WYTWÓRCA:

CIAŁO: ISOPLUS247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFR34N80 , IXFR36N60P , IXFR38N80Q2 , IXFR44N50Q , IXFR44N60 , IXFR64N60P , IXFT24N80P , IXFT30N50P , IXFT6N100F , IXFT80N085 , IXFV16N80P , IXFV18N90P , IXFV20N80P , IXFV22N60P , IXFV74N20P , IXFV96N20P , IXFX26N60Q ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved