Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFQ28N60P3 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFQ28N60P3

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 695

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 28

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFQ28N60P3 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 250

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.26

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO3P

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFQ50N60P3 , IXFR100N25 , IXFR102N30P , IXFR150N15 , IXFR15N100Q3 , IXFR20N80P , IXFR64N50Q3 , IXFR80N50P , IXFT21N50 , IXFT24N90P , IXFT69N30P , IXFT74N20 , IXFT80N08 , IXFT86N30T , IXFV12N80PS , IXFV14N80PS , IXFV52N30PS ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved