Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

3N212 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 3N212

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.36

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 27

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 35

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.05

Ograniczenie temperatury (Tj): 200

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 3N212 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 100

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO72

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 3N213 , 3N323 , 3N324 , 3SK101 , 3SK102 , 3SK108Q , 3SK137 , 3SK142O , 3SK180-6 , 3SK186 , 3SK51 , 3SK60 , 3SK63 , 3SK73 , 3SK82 , 3SK87AK , 75321P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved