Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFP10N80P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFP10N80P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 300

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 800

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 10

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFP10N80P (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 250

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.1

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFP110N15T2 , IXFP12N50PM , IXFP130N10T , IXFP180N10T2 , IXFP22N60P3 , IXFP4N100QM , IXFR20N120P , IXFR24N90Q , IXFR48N50Q , IXFR64N60P , IXFT20N80P , IXFT24N50 , IXFT24N80P , IXFT28N50F , IXFT52N50P2 , IXFT60N50P3 , IXFV12N80P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved