Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFN44N50Q - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFN44N50Q

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 481

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 44

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFN44N50Q (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 250

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.12

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT227B

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFN44N80P , IXFN48N50Q , IXFN48N50U2 , IXFN520N075T2 , IXFN52N90P , IXFN66N50Q2 , IXFP4N100Q , IXFP7N100P , IXFR180N06 , IXFR20N80P , IXFR44N80P , IXFR4N100Q , IXFR64N50Q3 , IXFR70N15 , IXFT15N100Q , IXFT16N90Q , IXFT50N60P3 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved