Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFN22N120 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFN22N120

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 625

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 1200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 22

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFN22N120 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 300

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.55

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT227B

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFN230N20T , IXFN240N15T2 , IXFN24N100F , IXFN280N085 , IXFN300N10P , IXFN32N80P , IXFN64N60P , IXFN80N50P , IXFP3N120 , IXFP4N100QM , IXFR16N120P , IXFR200N10P , IXFR20N120P , IXFR24N80P , IXFR36N60P , IXFR44N50P , IXFT150N17T2 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved