Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFL39N90 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFL39N90

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 694

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 900

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 39

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFL39N90 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 250

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.22

WYTWÓRCA:

CIAŁO: ISOPLUS264

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFL40N110P , IXFL44N60 , IXFL44N80 , IXFL80N50Q2 , IXFL82N60P , IXFN110N60P3 , IXFN32N120P , IXFN36N110P , IXFN60N80P , IXFN66N50Q2 , IXFP230N075T2 , IXFP4N100P , IXFP4N100Q , IXFP6N120P , IXFR100N25 , IXFR14N100Q2 , IXFR36N50P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved