Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFK48N60P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFK48N60P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 830

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 48

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFK48N60P (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 200

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.135

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO264

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFK48N60Q3 , IXFK52N60Q2 , IXFK55N50F , IXFK64N50Q3 , IXFK64N60P , IXFK80N50P , IXFN102N30P , IXFN160N30T , IXFN30N120P , IXFN32N80P , IXFN56N90P , IXFN64N50PD2 , IXFN64N60P , IXFN73N30Q , IXFP12N50PM , IXFP16N50P , IXFQ60N50P3 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved