Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFH86N30T - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFH86N30T

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 830

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 300

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 86

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFH86N30T (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.043

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFH88N20Q , IXFH96N15P , IXFH96N20P , IXFK120N25 , IXFK120N25P , IXFK16N90Q , IXFK32N80Q3 , IXFK40N90P , IXFK64N60Q3 , IXFK80N50P , IXFN100N10S1 , IXFN100N50P , IXFN102N30P , IXFN140N25T , IXFN240N15T2 , IXFN27N80Q , IXFN44N80Q3 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved