Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFH36N55Q - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFH36N55Q

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 500

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 550

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 36

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFH36N55Q (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 250

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.16

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFH36N55Q2 , IXFH400N075T2 , IXFH40N50Q , IXFH44N50P , IXFH50N30Q3 , IXFH66N20Q , IXFK160N30T , IXFK180N25T , IXFK30N110P , IXFK360N10T , IXFK64N60P3 , IXFK74N50P2 , IXFK80N15Q , IXFK88N20Q , IXFL44N60 , IXFL70N60Q2 , IXFN23N100 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved