Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFH17N80Q - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFH17N80Q

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 400

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 800

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 17

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFH17N80Q (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 250

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.6

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFH18N60P , IXFH20N100P , IXFH20N80P , IXFH22N60P , IXFH22N60P3 , IXFH26N50P , IXFH60N50P3 , IXFH6N120P , IXFK140N20P , IXFK16N90Q , IXFK30N100Q2 , IXFK32N100Q3 , IXFK32N80Q3 , IXFK38N80Q2 , IXFK52N60Q2 , IXFK64N50P , IXFL44N100P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved