Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFH110N15T2 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFH110N15T2

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 480

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 150

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 110

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFH110N15T2 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 85

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.013

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFH110N25T , IXFH120N20P , IXFH12N100F , IXFH12N50F , IXFH12N80P , IXFH150N15P , IXFH24N90P , IXFH28N60P3 , IXFH52N30P , IXFH66N20Q , IXFK120N30T , IXFK150N15P , IXFK160N30T , IXFK170N20T , IXFK24N80P , IXFK26N100P , IXFK520N075T2 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved