Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

2SK996 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 2SK996

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 50

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SK996 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 1480

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.8

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 2SK997 , 3N124 , 3N125 , 3N159 , 3N163 , 3N187 , 3SK108 , 3SK113 , 3SK133 , 3SK137V , 3SK180-5 , 3SK181-5 , 3SK182 , 3SK193P , 3SK39 , 3SK45 , 3SK81 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved