Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFC30N60P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFC30N60P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 166

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 15

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFC30N60P (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 200

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.25

WYTWÓRCA:

CIAŁO: ISOPLUS220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFC36N50P , IXFC60N20 , IXFC74N20P , IXFE180N20 , IXFE23N100 , IXFE48N50QD2 , IXFH14N80P , IXFH15N100Q3 , IXFH230N10T , IXFH26N50P , IXFH50N60P3 , IXFH60N20 , IXFH60N50P3 , IXFH6N100F , IXFH96N15P , IXFK120N20P , IXFK24N100F ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved