Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

IXFB170N30P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: IXFB170N30P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1250

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 300

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 170

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora IXFB170N30P (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 200

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.018

WYTWÓRCA:

CIAŁO: PLUS264

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: IXFB210N20P , IXFB30N120P , IXFB38N100Q2 , IXFB50N80Q2 , IXFB52N90P , IXFC10N80P , IXFE48N50Q , IXFE80N50 , IXFH13N100 , IXFH150N15P , IXFH230N075T2 , IXFH24N50Q , IXFH24N90P , IXFH28N50F , IXFH400N075T2 , IXFH42N60P3 , IXFH88N30P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved