Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FCP190N65F - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FCP190N65F

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 208

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 650

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 20.6

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FCP190N65F (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.19

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: GWM180-004X2-SL , GWM180-004X2-SMD , FDB86360_F085 , IXFA110N15T2 , IXFA12N50P , IXFA3N120 , IXFB82N60Q3 , IXFC14N80P , IXFE39N90 , IXFE48N50QD2 , IXFH12N90P , IXFH14N100Q2 , IXFH14N80P , IXFH15N100P , IXFH20N100P , IXFH22N50P , IXFH36N60P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved