Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FMM50-025TF - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FMM50-025TF

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 125

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 250

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 30

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FMM50-025TF (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 25

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.05

WYTWÓRCA:

CIAŁO: ISOPLUSi4

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FMM60-02TF , FMP26-02P , FMP36-015P , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , FDMS3610S , IXFA230N075T2-7 , IXFA6N120P , IXFB62N80Q3 , IXFC10N80P , IXFE24N100 , IXFE44N50QD3 , IXFE48N50Q , IXFE55N50 , IXFH120N20P , IXFH12N120P , IXFH18N90P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved