Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

NUS3116MT - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: NUS3116MT

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2.2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 12

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 8

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 6.2

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora NUS3116MT (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.032

WYTWÓRCA:

CIAŁO: DFN8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: NUS5530MN , NVD5803N , NVD5862N , NVD5890N , NVMFD5877NL , SCH1330 , FQD2N60CTM , FMD40-06KC , FDMC7200S , FDMS3610S , IXFA130N10T , IXFA180N10T2 , IXFA230N075T2-7 , IXFA4N100Q , IXFB30N120P , IXFB44N100Q3 , IXFC52N30P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved