Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

NTMS4802N - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: NTMS4802N

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.66

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 15

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora NTMS4802N (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.004

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOIC8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: NTMS4807N , NTMS4873NF , NTMS4916N , NTMS4939N , NTMS5835NL , NTP5864N , NTTFS4939N , NTUD3127C , NVTFS4823N , SCH1330 , TF252 , WPB4002 , FQD2N60CTM , FDMS8672S , FMP26-02P , FDMS0306AS , FCH043N60 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved