Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

NTLJF4156N - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: NTLJF4156N

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2.08

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 8

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora NTLJF4156N (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.047

WYTWÓRCA:

CIAŁO: WDFN6

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: NTLJS2103P , NTLJS4114N , NTLUD3A260P , NTMD3P03 , NTMD4184PF , NTMD6N04R2 , NTMFS4936N , NTMFS5832NL , NTMS5P02 , NTP5864N , NTTFS4824N , NTTFS4932N , NTTFS4939N , NTTFS5820NL , NVD5803N , NVD5867NL , SFT1431 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved