Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

2SK957 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 2SK957

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 40

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 900

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 2

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SK957 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 8.5

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 2SK957-01 , 2SK959 , 2SK960 , 2SK962-01 , 2SK963 , 2SK975 , 3N177 , 3N202 , 3SK104 , 3SK108Q , 3SK132A , 3SK135A , 3SK137 , 3SK139Q , 3SK169P , 3SK179 , 3SK38A ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved