Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

NTHD3102C - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: NTHD3102C

Technologia: MOSFET

Rodzaj: NP

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2.1

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 8

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 5.5

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora NTHD3102C (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.029

WYTWÓRCA:

CIAŁO: ChipFET8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: NTHD3133PF , NTHD4502N , NTHD4508N , NTHS5404 , NTHS5441T1 , NTJD5121N , NTMD6N03 , NTMFS4825NFE , NTMFS4926N , NTMFS4937N , NTMS5838NL , NTP2955 , NTP5863N , NTP6412AN , NTS4001N , NTTD4401F , NUS5531 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved