Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

NTD4815N - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: NTD4815N

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 32.6

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 35

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora NTD4815N (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.012

WYTWÓRCA:

CIAŁO: DPAK_IPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: NTD4855N , NTD4857N , NTD4858N , NTD4904N , NTD4906N , NTD4970N , NTGD4161P , NTGS3443 , NTJD1155L , NTJD5121N , NTMD4820N , NTMD5838NL , NTMD6N03 , NTMFS4821N , NTMFS4852N , NTMFS4899N , NTMS4816N ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved