Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

NTB5605P - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: NTB5605P

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 88

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 18.5

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora NTB5605P (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.12

WYTWÓRCA:

CIAŁO: D2PAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: NTB60N06 , NTB6411AN , NTB6412AN , NTD18N06L , NTD20N03L27 , NTD3055-094 , NTD4969N , NTD5802N , NTF3055L108 , NTGD4167C , NTHS5443 , NTJD4152P , NTJD4401N , NTJS4151P , NTLJS4114N , NTLUS3A90P , NTMFS4851 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved