Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

NDF03N60Z - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: NDF03N60Z

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 24

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora NDF03N60Z (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 3.3

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220FP

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: NDF04N60Z , NDF04N62Z , NDF05N50Z , NDF08N50Z , NDF08N60Z , NIF9N05CL , NTD2955 , NTD4302 , NTD4910N , NTD4970N , NTF3055-100 , NTGD1100L , NTGD4161P , NTGS3433 , NTHD4502N , NTHS4166N , NTLJS3113P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved