Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

MCH6320 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: MCH6320

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.5

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 12

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 10

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3.5

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora MCH6320 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.054

WYTWÓRCA:

CIAŁO: MCPH6

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: MCH6321 , MCH6336 , MCH6337 , MCH6421 , MCH6431 , MCH6613 , NCV8402 , NCV8450 , FDMS7678 , NIF9N05CL , NTD20N06 , NTD24N06L , NTD2955 , NTD3055L170 , NTD4857N , NTD4865N , NTD6415AN ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved