Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

ECH8663R - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: ECH8663R

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.4

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 12

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 8

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora ECH8663R (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0155

WYTWÓRCA:

CIAŁO: ECH8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: ECH8664R , ECH8668 , ECH8673 , EMH1405 , EMH2308 , FW282 , MCH6604 , MMBF0201NL , MTP20N15E , NCV8402D , NDF10N60Z , NIC9N05TS1 , NID9N05CL , NTA4001N , NTB6411AN , NTD14N03R , NTD4856N ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved