Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

CPH6337 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: CPH6337

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.6

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 12

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 10

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3.5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora CPH6337 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.054

WYTWÓRCA:

CIAŁO: CPH6

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: CPH6341 , CPH6350 , CPH6442 , EC3A03B , EC3A04B , ECH8419 , FW274 , FW906 , MCH6437 , MCH6613 , MTD6N20E , MTW32N20E , NCV8402 , NCV8406 , NDF04N62Z , NDF06N62Z , NTB6410AN ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved