Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

2SK876 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 2SK876

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 120

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 12

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2SK876 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 2000

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.7

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO247

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 2SK897 , 2SK899 , 2SK900 , 2SK904 , 2SK905 , 2SK947 , 2SK974S , 2SK987 , 3N169 , 3N187 , 3SK103 , 3SK107E , 3SK108 , 3SK108T , 3SK125Q , 3SK129 , 3SK162 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved