Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

DMG1016UDW - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: DMG1016UDW

Technologia: MOSFET

Rodzaj: NP

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.33

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 6

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 1.066

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora DMG1016UDW (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 61

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.45

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT363

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: DMG1016V , DMC3021LK4 , DMC3021LSD , DMG6602SVT , ZXMC3A16DN8 , DMC4040SSD , ZXMHC3A01N8 , 2N7002E , 2SK4065 , 2SK4099LS , 5LN01SS , ATP103 , ATP106 , ATP113 , ATP301 , ATP602 , CPH6347 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved