Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

DMP3130L - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: DMP3130L

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.4

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 12

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3.5

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora DMP3130L (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 432

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.095

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT23

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: DMP3160L , ZXM64P03X , ZXM66P03N8 , ZXMP3A16G , ZXMP3A16N8 , BSS84(Z) , ZVP4525Z , ZXMP10A18G , ZXMC3A18DN8 , DMC4040SSD , ZXMS6005SG , ZXMHC10A07N8 , ZXMHC3A01N8 , ZXMHC6A07T8 , 2SK3746 , 2SK3816 , 3LN01M ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved