Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

DMG1013T - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: DMG1013T

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.27

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 6

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.46

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora DMG1013T (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 60

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.7

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT523

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: DMG1013UW , DMG2301U , DMG3415U , DMP2004DWK , DMP2004K , DMP2066LDM , DMG4435SSS , DMP3035LSS , ZXMP3A17E6 , BSS84(Z) , ZXMP6A18K , ZVP4525E6 , ZVP4525Z , ZXMP10A17G , DMC3021LK4 , DMC3036LSD , ZXMS6002G ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved