Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

ZXMN6A09K - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: ZXMN6A09K

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 10.1

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 12.2

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora ZXMN6A09K (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 1426

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.06

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO252_DPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: ZXMN6A11DN8 , ZXMN6A11Z , ZXMN6A25DN8 , ZXMN7A11G , ZXMN7A11K , ZXMN0545G4 , DMP2035UTS , DMP2104LP , ZXM62P03E6 , DMP3010LPS , ZXMP3A17DN8 , ZXMP3F36N8 , ZXMP3F37N8 , BSS84W , ZXMP6A16K , ZXMP6A17K , DMC3018LSD ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved