Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

ZXMN3G32DN8 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: ZXMN3G32DN8

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2.1

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 7.1

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora ZXMN3G32DN8 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 472

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.045

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SO8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 2N7002(Z) , STU442S , 2N7002E , 2N7002VC , STU438S , DMB54D0UV , DMN6068SE , ZXMN4A06G , BSS123W , ZXMN0545G4 , DMP2004TK , DMP2022LSS , DMP2035UTS , DMP2066LSS , DMP2215L , DMP22D6UT , ZXM61P03F ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved