Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

DMN32D2LFB4 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: DMN32D2LFB4

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.35

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 10

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.3

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora DMN32D2LFB4 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 39

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.2

WYTWÓRCA:

CIAŁO: X2DFN10063

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: DMN32D2LV , DMN3404L , DMN3730U , DMN4800LSS , DMN4800LSSL , ZXMN3A02N8 , DMB54D0UDW , DMN4027SSS , DMN601VK , DMN62D1SFB , BSS123Z , ZVN4525G , ZVNL120G , ZXMN10A08DN8 , DMG2301U , DMP2004DMK , DMP21D0UFB4 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved