Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

DMG4800LK3 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: DMG4800LK3

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.7

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 25

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 10

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora DMG4800LK3 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 798

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.022

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO252_DPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: DMG4800LSD , DMG6402LDM , DMG8880LK3 , DMN3005LK3 , DMN3007LSS , DMN3033LDM , ZXMN3A01F , ZXMN3A06DN8 , BSN20 , DMB54D0UV , DMN601TK , DMN6066SSS , DMN6068SE , DMN66D0LW , ZXMN6A11Z , ZXMN6A25N8 , DMG1023UV ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved