Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

DMG9926UDM - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: DMG9926UDM

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.98

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 8

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4.2

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora DMG9926UDM (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 856

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.028

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT26

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: DMG9926USD , DMN2004DWK , DMN2004K , DMN2005DLP4K , DMN2005K , DMN2028USS , ZXMN2A04DN8 , ZXMN2F30FH , DMN3020LK3 , DMN3033LDM , DMS3016SFG , ZXMD63N03X , ZXMN3A01F , ZXMN3A04DN8 , STU442S , 2N7002VAC , DMN5L06K ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved