Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

HUFA76419D3S - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: HUFA76419D3S

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 75

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 16

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 20

Ograniczenie temperatury (Tj): 175

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora HUFA76419D3S (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.037

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO252_DPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: HUFA76429D3 , HUFA76645S3ST_F085 , FDMS8018 , NDS331N , RFD14N05SM9A , SSN1N45B , DMN2027USS , DMN2100UDM , ZXMN2A01E6 , ZXMN2A14F , DMN3010LSS , DMN3024LSS , DMN3031LSS , DMN3051L , DMN3404L , DMN4468LSS , 2N7002A ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved