Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FQU1N60C - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FQU1N60C

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 28

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 1

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FQU1N60C (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 11.5

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO251_IPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FDP085N10A , FQU2N100 , FQU2N60C , FQU4N50TU_WS , FQU5N40 , HUF75631S3S , FCP190N60 , DMG3414U , DMN2005LPK , DMN2028USS , ZXMN2088DE6 , ZXMN2A02X8 , ZXMN2A04DN8 , ZXMN2B03E6 , DMG6402LDM , DMN2600UFB , DMN3300U ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved