Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FQPF9N90C - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FQPF9N90C

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 68

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 900

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 8

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FQPF9N90C (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.4

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220F

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FQPF9P25 , FCI25N60N , FQS4901 , FQT13N06L , FQT1N60C , FQT5P10 , HUF75542P3 , HUF75852G3 , SI4532DY , SSN1N45B , DMN2005LP4K , DMN2020LSN , DMN2027USS , DMN2050L , DMN26D0UFB4 , ZXM62N02E6 , DMG4822SSD ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved