Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FQPF4N90C - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FQPF4N90C

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 47

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 900

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FQPF4N90C (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 4.2

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220F

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FQPF5N40 , FQPF5N90 , FQPF5P20 , FQPF6N80C , FDMS8880 , FQPF7N65C , FQT4N25 , FQU10N20C , FQU5N60C , HUF75631S3S , SI3443DV , SI4542DY , FCP190N60 , DMG1024UV , DMN2004DWK , DMN2004WK , DMN26D0UDJ ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved