Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FQPF16N25C - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FQPF16N25C

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 43

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 250

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 15.6

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FQPF16N25C (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.27

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220F

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FQPF17N40 , FQPF19N10 , FDD20AN06_F085 , FCU5N60 , FQPF20N06 , FQPF2N70 , FDN5632N_F085 , FQPF8N60C , FQT1N80 , FQT5P10 , FDMC7582 , FQU8P10 , HUF75542P3 , FDD86252 , HUFA76645S3ST_F085 , FDMB2307NZ , DMN2004DMK ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved