Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

2N6766 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: 2N6766

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 150

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 30

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora 2N6766 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.085

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO204

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: 2N6766JAN , 2N6766JANTXV , 2N6766JTX , 2N6768JAN , 2N6768JANTX , 2N6770JTX , 2N6789-SM , 2N6791-SM , 2N6797 , 2N6798SM , 2N6901JANTXV , 2N6903 , 2N6903JANTXV , 2N6912 , 2N6964 , 2N6966JANTXV , 2N7055 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved