Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FQP6N40C - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FQP6N40C

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 73

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 400

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 6

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FQP6N40C (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FQU2N90 , FQU2N50B , FQP6N80C , FCP20N60 , FQP7N80C , FQP9N30 , FCA20N60_F109 , FDMC8854 , FDH50N50 , FQPF7N65C , HUF76413DK_F085 , FQT4N20L , FQT4N25 , FQT7N10L , FQU2N100 , FQU3N50C , HUFA76429D3ST_F085 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved