Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FQP2N90 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FQP2N90

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 85

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 900

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 2.2

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FQP2N90 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 7.2

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FQP30N06 , FQP32N20C , FQB6N40C , FCPF11N60 , FQP3N30 , FQB11N40C , FQP8P10 , FQPF10N50CF , FQPF22N30 , FQPF2N70 , FQPF6N80T , FDH45N50F , FDN5632N_F085 , FQPF7P20 , FCI25N60N , FQT13N06 , FQU20N06L ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved