Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FQP10N20C - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FQP10N20C

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 72

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 9.5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FQP10N20C (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.36

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FDB3652 , FDP3632 , FQP12P20 , FQP13N10L , FDB16AN08A0 , FQP19N20 , FQP44N10 , IRFU220B , FQP7P06 , FQP9N30 , FQPF20N06L , FQPF27P06 , FCA20N60_F109 , FQPF30N06L , FQPF5N90 , FQPF65N06 , FQS4900 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved