Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FQD7N30 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FQD7N30

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 50

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 300

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 5.5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FQD7N30 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.7

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO252_DPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FQD7P06 , FQD8P10 , FQD8P10TM_F085 , FDS4480 , FQH8N100C , FQI5N60C , FQP17P10 , FQP20N06L , FCP11N60 , FQB11N40C , FCA20N60 , FCPF11N60T , FQP8P10 , FQPF10N20C , FQPF19N10 , FQPF19N20C , FDD26AN06_F085 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved