Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FQD20N06 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FQD20N06

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 38

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 25

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 16.8

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FQD20N06 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.063

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO252_DPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FQD2N100 , FQPF3N25 , FQD2N80 , FQD30N06 , FQD3N60CTM_WS , FQD5N20L , FQI50N06 , FDC6392S , FQP14N30 , FQP19N20 , FQP3N60C , FQP3P20 , FQP44N10 , FQP47P06 , FQU2N50B , FQP70N10 , FDS8690 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved