Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FQD10N20C - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FQD10N20C

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 50

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 7.8

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FQD10N20C (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.36

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO252_DPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FDMC8321LDC , FDPF041N06BL1 , FQD11P06 , FQD5N50C , FQD12N20LTM_F085 , MTD3055V , FQD4P25 , FQD5P20 , FQI27N25 , FQI5N60C , FQP13N50 , FDD6688 , FQP17P10 , FQPF12N60C , FQP32N20C , FQP34N20 , FQP6N40CF ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved